Коллектив ученых из Института общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН синтезировал и исследовал серию новых гетерометаллических координационных соединений, содержащих ионы лантаноидов и двух различных переходных металлов. Полученные соединения могут быть использованы для создания элементов сверхплотного хранения информации. Результаты работы опубликованы в ведущем международном журнале по неорганической химии Dalton Transactions. Гетерометаллические комплексы представляют собой наноразмерные молекулярные объекты, в составе которых содержатся ионы как минимум двух металлов. Их необычные свойства обусловлены присутствием в молекуле атомов металлов различной природы, благодаря чему появляются принципиально новые характеристики. «В нашей лаборатории уже более десяти лет ведутся разработки по получению и применению гетерометаллических комплексов, в которых ионы лантаноидов (семейство из 15 редкоземельных химических элементов) образуют каркас молекулы, а атомы переходного металла входят в состав связующих их фрагментов, - рассказывает старший научный сотрудник Лаборатории магнитных материалов ИОНХ РАН, кандидат химических наук Павел Коротеев. - В новых экспериментах нам удалось синтезировать уникальные комплексы, содержащие три разных металла. Полученные вещества сочетают в своей структуре атомы двух переходных металлов - железа и хрома, и атомы редкоземельных элементов – лантаноидов или иттрия. Известно довольно мало подобных триметаллических комплексов, а счет триметаллических комплексов, содержащих металлоорганический фрагмент, идет на единицы». Изучение магнитных свойств полученных комплексов, проведенное в Центре исследований им. Поля Паскаля Университета г. Бордо (Франция) совместно с группой выдающегося магнетохимика Родольфа Клерака, позволило установить, что комплексы, содержащие тербий, диспрозий и гольмий, являются молекулярными магнитами. Подобные соединения представляют интерес как средства сверхплотного хранения информации, поскольку потенциально могут хранить один бит информации в каждой молекуле, что увеличивает плотность ее записи на накопителях, следовательно, может привести к их значительной миниатюризации. Работа поддержана грантом Министерства науки и высшего образования РФ (проект 075-15-2020-779).